国家/地区 韩国（297）
IPC部 C（183） H（176） B（154）
G（34） D（11） A（4）
F（2）
IPC大类 H01（172） C01（137） B82（100）
B01（48） C23（45） B32（37）
C08（36） G01（17） B05（14）
C09（13） H05（13） D01（10）
B29（8） C25（7） G06（7）
IPC小类 C01B（137） H01L（117） B82Y（80）
H01B（58） C23C（43） B01J（41）
B32B（37） B82B（32） H01M（29）
C08K（27） C08L（25） C08J（21）
B05D（14） G01N（13） D01F（10）
IPC C01B031/02（124） B82Y030/00（58） B82Y040/00（58）
C01B031/04（54） H01B001/04（37） B82B003/00（31）
C23C016/26（30） C08K003/04（23） H01L029/78（21）
B82Y099/00（19） H01L029/786（19） H01L021/336（18）
H01L021/02（17） H01B005/14（15） H01L029/16（15）
发明人 CHUNG H J（20） HWANG S W（20） HONG B H（17）
SONE C S（15） WON D K（13） LEE J H（12）
LEE S（12） CHOI J Y（11） KIM S（10）
LEE S H（10） SHIN H（10） AHN J（9）
CHOI J（9） CHUNG H（9） SHIN H J（9）
公开年 2012（297）
申请年 2011（162）  2010（71）  2012（64） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（33） SAMSUNG LED .（21） UNIV SUNGKYU.（20） SAMSUNG TECH.（19）
KOREA ADV IN.（14） HANWHA TECHW.（13） KOREA INST S.（12） UNIV SUNGKYU.（11）
UNIV SUNGKYU.（11） GRAPHENE SQU.（9） KOREA ADVANC.（7） UNIST ACADIN.（7）
ELECTRONICS .（6） SNU R DB FOU.（6） UNIV HANYANG.（6） KUMOH NAT IN.（5）
POSTECH ACAD.（5） SEMICONDUCTO.（5） UNIV KYUNGHE.（5） KOREA ELECTR.（4）

Composite useful for manufacturing heat radiation sheet used in electronic components and devices, comprises polyimide and graphene.

WEON T O, DAE H K, MIN S K

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Reverse osmosis membrane, has microporous support layer and polyamide-based active layer, which is formed on microporous support layer and comprises graphene containing compound.

LEE P, SHIN C, YOO J, JEONG S, LEE Y, SHIN C K, YOO J E, JEONG S P, LEE Y J, WOO J, JUNG S

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene-on-substrate, useful as transparent electrode of e.g. transistor, comprises substrate, first intermediate layer disposed on substrate, graphene disposed on first layer, and second intermediate layer disposed on graphene.

WOO Y, CHOI J, SHIN H, YOON S, WOO Y S, CHOI J Y, SHIN H J, YOON S M

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Method for manufacturing graphene used in solar cell, involves heat-treating deposited mixed thin film on semiconductor substrate at specific temperature for preset time.

CHOI S H, YANG S B, KIM S

Method for manufacturing display device e.g. flat-panel display device, involves forming first substrate into anti-static layer consisting of graphene thin film.

HEON K T, HONG K C, HYEON P J, HYE K J, HYUN P J

Tuning method of interlayer spacing in graphene oxide composites used for hydrogen storage, involves chemically-dissecting graphite powder using oxidizing agents, and supplying carbon dioxide into interlayer spacing of composite.

JIN P S, I L S, SOO J P, SEUL Y L